物理学家,中国半导体技术奠基人黄昆

子阳

<p class="ql-block">黄昆,1919年九月二日出生于北京,九三学社社员,世界著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学奠基人之一。</p> <p class="ql-block">黄昆</p> <p class="ql-block">1944年,黄昆完成了《日冕光谱线的激起》的论文,获北京大学硕士学位,毕业后,在昆明天文台任助理研究员。 </p><p class="ql-block">1945年8月,黄昆在英国布里斯托大学做了莫特的博士研究生,两年中黄昆完成了三篇论文,其中一篇论文后来被称为“黄漫散射”。 同年10月,黄昆在英国布里斯托尔大学师从著名的理论物理学家、后来荣获诺贝尔奖的莫特教授,把自己的研究方向选定为固体物理学。 </p><p class="ql-block">1947年5月,黄昆到英国爱丁堡大学物理系,与当代物理学大师、诺贝尔奖获得者玻恩合作,共同撰写《晶格动力学理论》专著。 </p><p class="ql-block">1948年,获英国布里斯托尔大学博士学位,获得博士学位后,在英国爱丁堡大学物理系、利物浦大学理论物理系从事研究工作。黄昆在利物浦大学期间,结识了英国女同事里斯,并建立了诚挚深厚的友谊。 </p><p class="ql-block">1950年,黄昆与合作者首次提出多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论,即“黄—佩卡尔理论”。 </p><p class="ql-block">1951年,黄昆回到北京大学任物理系教授,黄昆首次提出晶体中声子与电磁波的耦合振荡模式及有关的基本方程。</p> <p class="ql-block">黄昆先生的著作</p> <p class="ql-block">2005年7月6日16时18分,黄昆在北京逝世,享年86岁。社会各界对其进行了沉痛的悼念,但其对我国半导体事业的拓展,是永远不可磨灭的丰碑,这值得我们永远铭记于心。</p>