十年铸 “芯” 破垄断 长鑫存储领跑国产 DRAM 新征程

王牌

十年铸 “芯” 破垄断 长鑫存储领跑国产 DRAM 新征程
—— 合肥打造集成电路产业标杆，助力中国 “芯” 自主崛起

国产 DRAM 存储芯片龙头企业长鑫科技集团股份有限公司（简称 “长鑫存储”）科创板 IPO 首发申请获上交所审议，这家扎根合肥的企业，以十年深耕突破海外技术封锁，从产业空白成长为全球第四大 DRAM 厂商，书写了国产存储 “突围” 的里程碑篇章。
长鑫存储 2017 年正式成立，总部位于合肥，专注 DRAM 芯片设计、研发、生产与销售，是中国大陆首家实现 DRAM 量产的企业。成立之初，全球 DRAM 市场被三星、海力士、美光三大巨头垄断，我国自主 DRAM 产能为零。依托合肥国资战略布局与 “链长制” 强力支撑，长鑫存储从零起步，攻克核心工艺、专利壁垒、产能良率等多重难题，在奇梦达技术基础上自主研发，建成三座 12 英寸晶圆厂36氪。
2019 年，长鑫存储成功实现 DDR4 量产，打破海外垄断；2023 年推出 LPDDR5 产品，切入移动终端高端市场；2025 年发力 DDR5，推出最高速率 8000Mbps、颗粒容量 24Gb 的 DDR5 芯片及七大模组产品，同步发布速率 10667Mbps 的 LPDDR5X，全面覆盖服务器、PC、移动终端等全场景，与国际巨头站在同一起跑线长鑫存储。截至 2025 年底，公司月产能达 30 万片，全球市场份额升至 7.67%，位居国内第一、全球第四。
十年磨剑，终迎绽放。2025 年，长鑫存储全年营收 617.99 亿元，同比增长 155.6%，首次实现盈利36氪。2026 年一季度业绩爆发，营收 508 亿元，同比增长 719.13%；归母净利润 247.62 亿元，日赚超 3.6 亿元，一举抹平十年累计亏损。产品已进入联想、小米、OPPO 等头部厂商供应链，累计专利超 2000 件，斩获国家级绿色工厂、知识产权示范企业等多项荣誉。
作为 “合肥模式” 的标杆之作，长鑫存储的崛起，是合肥坚持长期主义、布局硬核科技的生动实践。当前，公司冲刺科创板上市，计划募资 295 亿元用于技术升级与产能扩张，未来将持续深耕 DDR5、LPDDR5X 及高附加值产品，强化全产业链自主可控能力。
从 “缺芯” 到 “强芯”，长鑫存储以自主创新重构全球存储格局，不仅为中国半导体产业注入强劲动能，更彰显了我国突破技术封锁、实现科技自立自强的坚定决心。未来，长鑫存储将继续扎根合肥，引领产业生态协同升级，助力中国从存储大国迈向存储强国长鑫存储