<p class="ql-block">我国60年代就曾布局过光刻机且技术先进，那时光刻机巨头ASML还没诞生，直到70年代，ASML仍是小字辈。进入70年代，中国的光刻技术继续“一路小跑”向前发展。</p> <p class="ql-block">1972年，武汉无线电元件三厂编写的《光刻掩模版的制造》，32开66页</p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block">中国芯片光刻工艺研究起步，虽比美国稍晚，但跟日本差不多同时起步，比韩国、台湾早10年。1977年，全国光刻机座谈会顺利召开，全国各地的精英们齐聚一堂，目标只有一个，那就是追赶世界先进水平。</p><p class="ql-block">在大家的共同努力下，成果也是一个接一个。1979年，哈尔滨量具刃具厂成功研制出KHA75-1型大面积半自动光刻机，这台光刻机在某些重要指标上，已经和当时日本佳能PLA500-F型光刻机的水平相当了。1980年，清华大学也不甘落后，成功研制出第四代分步式投影光刻机，精度达到3微米，接近国际一流水准。1985年，机电部45所研制出的分步光刻机，技术水平更是达到了美国4800DSW的标准，和国际先进水平的差距不超过7年。</p><p class="ql-block">1980年光刻机项目下马，2020年中国手机被芯片扼住了喉咙光刻机(Mask Aligner)是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。截至目前，我国光刻机能制造的芯片是14纳米，但是无法满足如华为手机等高端芯片的应用，因此只能从荷兰ASML公司进口。上世纪六十年代，我国就开始布局研发光刻机，彼时荷兰光刻机生产巨头ASML尚未成立。1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。1972年，武汉无线电元件三厂编写了行业生产指导《光刻掩模版的制造》。1980年清华大学研制成功第四代，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平……然而到了上世纪八十年代，包括运10、直8、远程轰炸机、大型导弹驱逐舰、长城/曙光大型计算机项目、数字焊接系统等一系列军用、民用高精尖技术项目下马，光刻机项目也在其中。彼时武汉无线电元件三厂在光刻机的科研上已经在光刻机项目上有了20多年的技术积累，是有可能实现从量变到质变的过程。然而没有了国家经费的支持，一切都成了空谈。</p><p class="ql-block">当咱们重新意识到光刻机的重要性时，ASML已经稳稳地坐在全球光刻机霸主的宝座上，欧美国家还对咱们进行技术封锁，这可太难了！</p><p class="ql-block">咱们不仅要自己，从头开始研发光刻机，还得自己制造，所有的关键零部件，难度简直呈几何倍数地增长。</p><p class="ql-block">但咱们中国人可从来不会被困难吓倒！</p><p class="ql-block">这几年随着国内半导体产业链的崛起，咱们的光刻机技术也在飞速进步。</p><p class="ql-block">最近国产光刻机的分辨率已经达到了65nm，套刻精度小于8nm，距离浸润式DUV光刻机仅一步之遥。</p>