<p class="ql-block">新设备：HTRB高温反向偏压测试系统、制造商：日本制造商</p><p class="ql-block">简介：本产品可在高温、高压应力条件下评估功率半导体的绝缘膜老化。高精度测量和最小化故障对设备损坏的能力有助于器件开发和可靠性评估中的故障分析。以IGBT、MOSFET和二极管为中心，在向功率半导体施加高达3000V的高电压的同时，可以测量漏电流。主要特点一台设备将两种可测试的 HTRB 和 HTGB 测试功能集成到一个系统中。每个器件的电流测量电路允许对电流进行高精度测量，并可针对每个器件测量漏极（收集器）端子侧和栅极端子侧的电流。在同时测试多个设备时，您可以了解设备何时出现障。无需更换器件即可测量IV特性。可在测试前、测试期间或测试后的任何时间进行IV测量，并测量由于老化而导致的设备特性变化。减少对器件的损坏 的功能当设备在应力条件下发生故障时，电流浪涌会导致不必要的设备损坏。保护功能（如浪涌抑制和高速关闭）可将样品造成的损坏降至最低。每个设备都有保护功能，如果一个设备发生故障，则周围的设备不会受到影响。</p><p class="ql-block">主要规格：</p><p class="ql-block">应力电压（DC）：100〜3000V</p><p class="ql-block">栅极电压（DC）：-30V〜+30V（可选-45V〜+45V）</p><p class="ql-block">通道数：高达48通道</p><p class="ql-block">温度范围：高达200°C（可选高达250°C）</p><p class="ql-block">URL：主要规格</p><p class="ql-block">应力电压（DC） 100〜3000V</p><p class="ql-block">栅极电压（DC） -30V〜+30V（可选-45V〜+45V）</p><p class="ql-block">通道数 高达48通道</p><p class="ql-block">温度范围：高达200°C（可选高达250°C）</p>